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              測試服務

            本測試實驗室提供專業的半導體特性評估,包括靜態特性、動態特性和熱特性。除提供建模測試數據和制作分立器件規格書外,我們還能完成一些特殊的測試項目,諸如TVS器件的S21、MOSFET器件的dv/dt和三極管的fT。鑒于各家客戶的需求難以統一,我們會在充分評估項目的難度和工時后給出正式報價。

            本測試實驗室可提供的服務項目參見表一、表二和表三。

            表一  二極管相關測試項目

            測試類別

            測試項目

             

            參數

            符號

            電性能參數

            靜態參數

            正向電壓

            VF

            1.        可提供高低溫(-40 200)測試結果

            2.        可提供測試曲線或波形

            3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

            4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

            反向漏電

            IR

            反向擊穿電壓

            VBR

            正向平均電流

            IFAV

            動態參數

            結電容

            CJ

            反向恢復時間相關參數

            Trr/Ta/Tb/S

            反向恢復峰值電流

            Irm

            反向恢復電荷

            Qrr

            電壓變化率

            dv/dt

            熱性能參數

            耗散功率

            PD

             

            結到環境熱阻

            Rthj-a

             

            結到殼熱阻

            Rthj-c

            根據封裝不同,可能為j-l

            其他特殊參數

            插入損耗

            S21

             

            箝位電壓

            Vc

            8/20μs10/1000μs

            動態電阻

            RDYN

            TLP測試

            單脈沖雪崩能量

            EAS

             

             

            表二  三極管相關測試項目

            測試類別

            測試項目

             

            參數

            符號

            電性能參數

            靜態參數

            各類擊穿電壓

            V(BR)CEO/V(BR)CBO/V(BR)EBO

            1.        可提供高低溫(-40 200)測試結果

            2.        可提供測試曲線或波形

            3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

            4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

            各類漏電

            ICEO/ICBO/IEBO

            靜態電流增益

            hFE

            基極-發射極導通電壓

            VBE(on)

            各種飽和壓降

            VBEsat/VCE(sat)

            動態參數

            各類電容

            Cobo/Cibo/Cre

            延遲時間

            Td

            上升時間

            Tr

            存儲時間

            Ts

            下降時間

            Tf

            熱性能參數

            耗散功率

            PD

             

            結到環境熱阻

            Rthj-a

             

            結到殼熱阻

            Rthj-c

             

            其他特殊參數

            增益帶寬積(特征頻率)

            fT

             

            插入功率增益

            S21e2

             

            噪聲系數

            NF

            高頻

             

            表三  MOSFET/IGBT相關測試項目

            測試類別

            測試項目

             

            參數

            符號

            電性能參數

            靜態參數

            各類擊穿電壓

            V(BR)DSS/V(BR)GSS

            1.        可提供高低溫(-40200℃)測試結果

            2.        可提供測試曲線或波形

            3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

            4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

            5.        符號上IGBTVDMOS之間的替換關系:

            C(集電極)=D(漏極);E(發射極)=S(源極)

            各類漏電

            IDSS/IGSS

            柵極閾值電壓

            VGSth

            導通電阻

            RDS(on)

            飽和壓降

            VCE(sat)

            二極管正向壓降

            VSD/VF

            動態參數

            正向跨導

            Gfs

            柵極電阻

            Rg

            輸入、輸出、反向轉移電容

            Ciss/Coss/Crss

            有效輸出電容

            Coer/Cotr

            開關時間

            Td(on)/Tr/Td(off)/Tf

            導通損耗

            Eon/Eoff

            反向恢復時間相關參數

            Trr/Ta/Tb/S/Irrm/Qrr

            柵極電荷

            Qg/Qgs/Qgd

            短路電流、漏極脈沖電流

            Isc/IDM

            熱性能參數

            耗散功率

            PD

            結到環境熱阻

            Rthj-a

            結到殼熱阻

            Rthj-c

            其他特殊參數

            單脈沖雪崩能量

            EAS

            說明:TOSMD有夾具,其他封裝需要制作配套夾具(費用另計)。

             

            聯系方式:

            聯系人:周女士

            TEL0571-86714088-6192

            Emailzhoujun@silanic.com.cn

             

             
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